profil kompanije

Anyang Jiashike Metal Co., LTD, kao vodeći proizvođač ferolegura u Kini. To je sveobuhvatno preduzeće koje integriše naučna istraživanja, preradu i proizvodnju, uvoz i izvoz. Ima više od 20 godina iskustva u profesionalnom polju i koristi naprednu tehnologiju i profesionalnu opremu. , proizvodi visokokvalitetne metale i legure, a u svom poslovanju obuhvata metalni silicijum, ferosilicij, silicijum-kalcijum legure, silicijum-ugljične legure, prirodni grafitni prah i druge proizvode.

Prednosti kompanije

Bogato iskustvo

Naša kompanija ima dugogodišnje iskustvo u proizvodnji. Koncept orijentirane na kupca i win-win saradnje čini kompaniju zrelijom i jačom.

Napredna oprema

Oprema bazirana na najnovijim tehnološkim dostignućima ima veću efikasnost, bolje performanse i veću pouzdanost.

Konkurentna cijena

Imamo profesionalni tim za pronalaženje izvora i tim za računovodstvo troškova, koji želimo smanjiti troškove i profit i pružiti vam dobru cijenu.

Kontrola kvaliteta

Izgradili smo profesionalni QC tim za preciznu inspekciju svake sirovine i svakog procesa proizvodnje.

Customized High Purity Si 2202 3303 411 551 553 Silicon Metal

Prilagođeni silikonski metal visoke čistoće Si 2202 3303 411 551 553

Jedna od prednosti metalnog silicija 3303 je njegova upotreba u izradi specijalnog čelika, jer može poboljšati čvrstoću, tvrdoću i duktilnost čelika. Osim toga, metalni silicij 3303 se često koristi kao dodatak aluminijskim legurama za poboljšanje njihovih mehaničkih svojstava, kao što je njihova korozija.

Legura kalcijuma i silicijuma

Silicijum-kalcijum legura je kompozitna legura sastavljena od silicijuma, kalcijuma i gvožđa, koja je idealan spoj za deoksidaciju i odsumporavanje. Široko se koristi u proizvodnji čelika s niskim udjelom ugljika, nehrđajućeg čelika i drugih vrsta čelika i specijalnih legura kao što su legura na bazi nikla i legura na bazi titana. Pogodan je za korištenje kao sredstvo za zagrijavanje u radionici za proizvodnju čelika. Može se koristiti i kao inokulant za liveno gvožđe i kao dodatak u proizvodnji nodularnog gvožđa.

High Quality Ferro Silicon/ Ferrosilicon For Steelmaking/FeSi65

Visokokvalitetni fero silicij/ferosilicij za proizvodnju čelika/FeSi65

Ferro silicij ili ferosilicij je ključni element kada je u pitanju proizvodnja čelika. To je legura sastavljena od gvožđa, silicijuma i malog procenta aluminijuma i drugih elemenata. Visokokvalitetni fero silicij, također poznat kao FeSi65, posebno je ključan u industriji proizvodnje čelika jer sadrži veći postotak silicija.

Magnezijum Ingot

Materijal legure magnezijskih ingota je lagan materijal visoke čvrstoće koji se široko koristi u raznim industrijama. Materijal se sastoji od magnezijuma i drugih metala, kao što su aluminijum, cink, mangan i silicijum, koji poboljšavaju njegova mehanička svojstva i otpornost na koroziju.

Metal Alloy Silicon Calcium Alloy Ferro Silicon Calcium/Fesica

Metalna legura Silicijum Kalcijum Legura Fero Silicijum Kalcijum/Fesica

CaSi legura je složena legura koja se sastoji od silicijuma, kalcijuma i željeza. To je idealan složeni deoksidizator i desulfurizator koji se može široko koristiti u proizvodnji čelika kao što su visokokvalitetni čelik, čelik s niskim udjelom ugljika, nehrđajući čelik i posebne legure kao što su legura na bazi nikla, legura na bazi titana. CaSi legura se takođe može primeniti kao podizač toplote za konvertersku proizvodnju čelika, inokulant za proizvodnju livenog gvožđa i kao sredstvo zavisnosti za proizvodnju nodularnog livenog gvožđa.

Use Of High Quality Silicon Calcium Alloy /CaSi

Upotreba visokokvalitetne legure silicijum kalcijuma /CaSi

Use Of High Quality Silicon Calcium Alloy 100 Words/CaSi

Tvornička direktna prodaja visokokvalitetne legure silicijum kalcijuma

Factory Sale Casting Iron Use Casi Powder Calcium Silicon Alloy 30/60 28/55

Tvornička prodaja lijevanog željeza korištenje Casi praha kalcijum silicijum legure 30/60 28/55

Factory Direct Sales Of High Quality Metal Silicon/Silicon Metal441

Tvornička direktna prodaja visokokvalitetnog metalnog silicija/fero silicija441

Ferro Silicon 441 Ferro Silicon 441 je JSK-ov vrući proizvod, Ferro Silicon grade 441, sa sadržajem silicija od 99%. Sadržaj gvožđa, aluminijuma i kalcijuma je 0.4%, 0.4% i 0.1%.

OEM 2202 3303 411 553 Grade Metallic Si Pure Silicon Metal

Šta je silicijum karbid

Silicijum karbid, izuzetno tvrd, sintetički proizvedeno kristalno jedinjenje silicijuma i ugljenika. Njegova hemijska formula je SiC. Od kasnog 19. stoljeća silicijum karbid je važan materijal za brusne papire, brusne ploče i alate za rezanje. Nedavno je pronašao primjenu u vatrostalnim oblogama i grijaćim elementima za industrijske peći, u dijelovima otpornim na habanje za pumpe i raketne motore, te u poluvodičkim podlogama za diode koje emituju svjetlost.

Prednosti silicijum karbida

Odlične performanse na visokim temperaturama

Tačka topljenja proizvoda od silicijum karbida je čak 2700 stepeni, što može održati svoju strukturnu stabilnost i čvrstoću u okruženjima sa visokim temperaturama, tako da se široko koristi u visokotemperaturnim rastopljenim metalima, visokotemperaturnim pećima za grejanje, visokotemperaturnim petrokemijama i drugim poljima.

Jaka otpornost na koroziju

Silicijum karbid ima odličnu otpornost na koroziju i može stabilno raditi dugo vremena u kiselim, alkalnim i oksidativnim okruženjima.

Visoka tvrdoća i visoka čvrstoća

Silicijum karbid ima veću tvrdoću i čvrstoću od tradicionalnih keramičkih materijala, tako da ima dobru otpornost na habanje i udarce.

Odlična toplotna provodljivost i električna provodljivost

Silicijum karbid ima visoku toplotnu provodljivost i odličnu električnu provodljivost, pa se naširoko koristi u proizvodnji elektronskih komponenti i radijatora velike snage.

Koje su primjene silicijum karbida

Silicijum karbid koji se koristi u vojnim neprobojnim oklopima
Silicijum karbid se koristi za proizvodnju neprobojnih oklopa. Svojstvo ovog spoja koje ga čini da se koristi u takve svrhe je njegova tvrdoća. Meci i drugi štetni predmeti morat će se boriti sa tvrdim keramičkim blokovima koje formira silicijum karbid. Meci ne mogu probiti keramičke blokove.

Silicijum karbid koji se koristi u poluprovodnicima
Silicijum karbid postaje poluprovodnik kada mu se dodaju dodaci. Dopanti poput bora i aluminija dodani silicijum karbidu čine ga poluvodičem p-tipa. S druge strane, dodaci kao što su dušik i fosfor koji se dodaju silicijum karbidu čine ga poluvodičem n-tipa. Možete pročitati ovaj post za više informacija o razlikama između poluvodiča p-tipa i poluvodiča n-tipa.

Silicijum karbid koji se koristi u abrazivima
Silicijum karbid se obično koristi kao abraziv zbog svoje tvrdoće. Koristi se u proizvodnji brusnih ploča, alata za rezanje i brusnog papira. Abrazivi od silicijum karbida obično su jeftiniji od drugih abraziva sličnog kvaliteta. Abrazivi se koriste za brušenje materijala kao što su čelik, aluminij, liveno gvožđe i guma.

Silicijum karbid koji se koristi u električnim vozilima
Silicijum karbid je bolji izbor u odnosu na silicijum za napajanje električnih vozila. Električna vozila sa pogonom na silicijum karbid su visoko efikasna i isplativa. Trenutno, mnoge poznate kompanije koriste silicijum karbid za poboljšanje efikasnosti i dometa u proizvodnji električnih vozila, kao što je Tesla.

Silicijum karbid koji se koristi u nakitu
Strukturno sličan dijamantu, a opet sjajniji, jeftiniji, izdržljiviji i lakši od dijamanta, silicijum karbid je zaslužena alternativa dijamantu u industriji nakita.

Svojstva SiC

Politipizam SiC-a
SiC je poznat po svom politipizmu (različite kristalne strukture), nastalom slaganjem Si i C duž glavne ose (C-osa). AaBbCcAaBbCc slaganje generiše 3C-SiC cink-mešanu rešetku, AaBbAaBb generiše 2H-SiC sa vurcitnom rešetkom, a AaBbAaCcAaBbAaC generiše 4H-SiC rešetku. Različiti kristalni oblici sa različitim brojem atoma po jediničnoj ćeliji utiču na fizička svojstva politipova zahvaljujući različitim elektronskim energetskim pojasevima i vibracionim granama.

Band Structure
Različiti kristalni oblici SiC imaju različite veličine pojasnog razmaka, u rasponu od 2,4 eV (3C-SiC) do 3,35 eV (2H-SiC), koji su ključni za određivanje njihovih elektronskih i optičkih svojstava. SiC politipovi su indirektni poluprovodnici, što znači da politip sa najmanjim razmakom pojasa (3C-SiC) do onog sa najvećim pojasom (2H-SiC) zahteva učešće fonona (kvantizovani vibracioni modovi). Iako su SiC politipovi indirektni poluprovodnici, oni su odlični kandidati za primjenu energije.

Doping
Doping je fizička metoda koja se koristi za postizanje željenih električnih svojstava SiC. U ovom procesu, element, bilo akceptor (aluminijum/bor/galijum) ili donor (azot/fosfor), se uvodi u fazi rasta kristala da bi se promenila njegova provodljivost. Budući da difuzija nije izvodljiva metoda za dopiranje SiC-a, za dopiranje SiC-a se koristi ionska implantacija s aktivacijom dopanta putem visokotemperaturnog zagrijavanja. Prethodne studije su izvijestile o uspjehu dopiranja SiC-a dušikom za primjene kao što je smanjenje gubitka energije u vertikalnim strukturama energetskih uređaja i visokofrekventnim aplikacijama.

Električna svojstva
Nenamjerno dopiranje sa donorima dušika tokom procesa rasta ukazuje na to da oni imaju višak elektrona tokom procesa rasta, otkrivajući n-tip provodljivosti u SiC. Dopirani atomi dušika zamjenjuju atome ugljika na mjestima rešetke, mijenjajući energiju ionizacije zbog različitih lokalnih sredina i specifičnog interferentnog efekta. Nadalje, Hallova mjerenja pomažu u određivanju koncentracije donora dušika, pretpostavljajući jednaku distribuciju između različitih mjesta rešetke.

Hemijska stabilnost
SiC se lako oksidira i formira film silicijum dioksida (SiO2), koji postepeno ometa proces oksidacije. Međutim, ako istovremeno postoje tvari koje mogu ukloniti ili razbiti film silicijum dioksida, SiC se može dalje oksidirati. SiC se ne rastvara lako u kiselinama ili bazama, ali se lako može napasti alkalnim topljenjem. Primarne nečistoće koje se nalaze u SiC uključuju C i SiO2, a količina nečistoća varira ovisno o vrsti proizvoda.

Priprema silicijum karbida

Achesonov proces

Silicijum karbid je prisutan u mineralu moissanitu, ali je neuobičajen u prirodi. Sintetizira se korištenjem Achesonovog procesa, nazvanog po svom pronalazaču, Edwardu G. Achesonu. U ovom procesu, čisti silicijum dioksid (SiO2) kvarcni pijesak i fino mljeveni petrolej koks (ugljik) se kombinuju i zagrijavaju na povećanu temperaturu od otprilike 1700 do 2500 stepeni u električnoj peći sa otporom. Glavna hemijska reakcija koja rezultira stvaranjem ɑ-SiC prikazana je ispod.

Lely metoda

Sublimacija se koristi u Lely metodi za stvaranje krupnih kristala silicijum karbida. Silicijum karbid prah se stavlja u grafitni lončić koji je pročišćen gasom argona i zagrejan na oko 2.500 stepeni (4.530 stepeni F). Silicijum karbid na vanjskim zidovima lončića sublimira i taloži se na grafitnoj šipki prema centru lončića, koji je na nižoj temperaturi.

Metoda hemijskog taloženja parom

Proizvodnja silicijum karbida u malim razmerama takođe može nastati razgradnjom gasovitih ili isparljivih molekula koji sadrže silicijum i ugljenik u inertnoj atmosferi. Reakcioni proizvodi zatim talože karbid na odgovarajuću zagrejanu podlogu.

Proces proizvodnje silicijum karbida

Priprema praha
Silicijum karbid (SiC) je spoj silicijuma i ugljenika sa hemijskom formulom SiC. Najjednostavniji proizvodni proces za proizvodnju silicijum karbida je kombinovanje peska od silicijum dioksida i ugljenika u Acheson grafitnoj peći na električni otpor na visokoj temperaturi, između 1600 stepeni (2910 stepeni F) i 2500 stepeni (4530 stepeni F). Fine čestice silicijuma mogu se pretvoriti u silicijum karbid (SiC) zagrijavanjem viška ugljenika iz organskog materijala. Dim silicijum dioksida, koji je nusproizvod proizvodnje metala silicijum i ferosilicijumskih legura, takođe se može pretvoriti u SiC zagrevanjem sa grafitom na 1500 stepeni (2730 stepeni F). Materijal formiran u peći Acheson varira u čistoći. „Kamenčići“ i zrnca silicijum karbida se drobljenjem pretvaraju u fini prah, a zatim prečišćavaju halogenima.

Gnječenje
Fino zrnasti (submikronski) prah se zatim homogeno miješa sa neoksidnim pomoćnim sredstvima za sinteriranje (vezivo) kako bi se formirala pasta. Mogu se koristiti različita veziva uključujući organosilicijumska veziva.

Formiranje oblika
Rezultirajuća pastozna smjesa se može zbijati i oblikovati ekstruzijom ili hladnim izostatičkim prešanjem. Ekstruzija se sastoji u probijanju pastozne smjese kroz kalup s otvorom. Cijevi od silicijum karbida proizvode se ekstruzijom. Svojstva u smjeru ekstruzije razlikuju se od svojstava u drugim smjerovima.

Računarska numerička kontrola (CNC) obrada
CNC obrada se koristi za obradu površine ploča ili bušenje rupa na procesnim i servisnim stranama u cilindričnim blokovima. Zbog vrlo niske mehaničke čvrstoće zelenog materijala, ovdje je potrebna posebna pažnja. Uz pomoć jedinstvenog učvršćenja, komponente se tokaju, glodaju i buše prema specifičnim parametrima obrade.

Sinterovanje
Nakon faze formiranja, materijal se sinteruje u inertnoj atmosferi na temperaturama do 2300 stepeni (4170 stepeni F). Tokom procesa sinterovanja, tačnije između približno 1900 stepeni (3450 stepeni F) i 2150 stepeni (3900 stepeni F), proizvodi se izostatički skupljaju za faktor od otprilike 20%. Visina bloka, prečnik i prečnici rupa se skupljaju za otprilike 20%. Prečnik cijevi, debljina stijenke i dužina također se skupljaju.

Lapiranje ili brušenje
Ako je potrebno, dijelovi od sinterovanog silicijum karbida mogu se strojno obraditi na precizne tolerancije korištenjem vrlo skupih tehnika preciznog dijamantskog brušenja ili preklapanja.

Provjere kvaliteta
Gotovi dijelovi od silicijum karbida prolaze kroz niz dimenzionalnih provjera, testova i inspekcija (detekcija curenja, detekcija pukotina, ispitivanje pritiska, itd...). Mehanička svojstva se pažljivo provjeravaju i prate nakon svake proizvodne serije.

Mere predostrožnosti za skladištenje silicijum karbida

Uredno skladištenje, isti broj serije koliko god je moguće u redovima, kako bi se izbjegle greške u procesu preuzimanja materijala.

Silicijum karbid mikro prah ima snažnu apsorpciju vlage, pokušajte izbjeći uklanjanje filma otpornog na vlagu; ovo može izbjeći aglomeraciju vlage, skratiti vrijeme sušenja.

Što je više moguće koristiti princip prvi ušao, prvi izašao, kako bi se izbjeglo zgrušavanje sirovina zbog predugog vremena skladištenja.
ako je ultra-fini prah silicijum karbida u transportnoj slomljenoj ambalaži, pokušajte da pohranite odvojeno kako biste izbjegli zagađenje prašinom.

Preporučljivo je da se skladište što je više moguće zatvori, odvojeno skladišti, te pazi na vlagu, vjetar i kišu.

Naša fabrika

202309271538374e9c28b8cf2d4d7c94200fabe374eb08

2023092715383649e10974dd3d4489bd32b9daf379427e

2023092715383653a1c012a3ba4375b675902e3a5d17ef

20230927153836d86d51553f3e4d0081f3c93cd47a38e4

FAQ

P: Za šta se koristi silicijum karbid?

O: Silicijum karbidni elementi se danas koriste u topljenju stakla i obojenih metala, termičkoj obradi metala, proizvodnji float stakla, proizvodnji keramičkih i elektronskih komponenti, upaljača u pilot lampama za gasne grejače itd. -term) efekti na zdravlje mogu se javiti odmah ili ubrzo nakon izlaganja silicijum karbidu: * Silicijum karbid može iritirati oči i nos pri kontaktu. * Postoje ograničeni dokazi da silicijum karbid uzrokuje rak kod životinja. Može uzrokovati rak pluća.

P: Koje su primjene SiC-a u elektronskim uređajima?

O: Silicijum karbid je poluprovodnik koji je savršeno prikladan za energetske primene, zahvaljujući pre svega svojoj sposobnosti da izdrži visoke napone, do deset puta veće od onih koje se mogu koristiti sa silicijumom. Poluprovodnici na bazi silicijum karbida nude veću toplotnu provodljivost, veću pokretljivost elektrona i manje gubitke snage. SiC diode i tranzistori također mogu raditi na višim frekvencijama i temperaturama bez ugrožavanja pouzdanosti. Glavne primjene SiC uređaja, kao što su Schottky diode i FET/MOSFET tranzistori, uključuju pretvarače, pretvarače, izvore napajanja, punjače baterija i upravljačke sisteme motora.

P: Zašto SiC nadmašuje Si u energetskim aplikacijama?

O: Uprkos tome što je poluvodič koji se najčešće koristi u elektronici, silicijum počinje da pokazuje neka ograničenja, posebno u aplikacijama velike snage. Relevantan faktor u ovim aplikacijama je pojas, ili energetski jaz, koji nudi poluvodič. Kada je pojasni razmak velik, elektronika koju koristi može biti manja, raditi brže i pouzdanije. Takođe može raditi na višim temperaturama, naponima i frekvencijama od ostalih poluprovodnika. Dok silicijum ima pojas od oko 1,12eV, silicijum karbid ima skoro tri puta veću vrednost od oko 3,26eV.

P: Zašto SiC može podnijeti tako visoke napone?

O: Uređaji za napajanje, posebno MOSFET, moraju biti u stanju da podnose ekstremno visoke napone. Zahvaljujući dielektričnom probojnom intenzitetu električnog polja oko deset puta većeg od onog kod silicijuma, SiC može dostići vrlo visok probojni napon, od 600 V do nekoliko hiljada volti. SiC može koristiti veće koncentracije dopinga od silicija, a slojevi odstupanja mogu biti vrlo tanki. Što je tanji sloj drifta, to je manji njegov otpor. U teoriji, s obzirom na visok napon, otpor sloja drifta po jedinici površine može se smanjiti na 1/300 otpornosti silikonskog.

P: Zašto SiC može nadmašiti IGBT na visokim frekvencijama?

O: U aplikacijama velike snage, IGBT i bipolarni tranzistori su se uglavnom koristili u prošlosti, s ciljem smanjenja otpora uključivanja koji se javlja pri visokim naponima proboja. Ovi uređaji, međutim, nude značajne gubitke pri prebacivanju, što dovodi do problema sa stvaranjem toplote koji ograničavaju njihovu upotrebu na visokim frekvencijama. Koristeći SiC, moguće je napraviti uređaje, kao što su diode s Schottky barijerom i MOSFET-ovi, koji postižu visoke napone, mali otpor uključivanja i brz rad.

P: Koje se nečistoće koriste za dopiranje materijala od silicijum karbida?

O: U svom čistom obliku, silicijum karbid se ponaša kao električni izolator. Uz kontrolirano dodavanje nečistoća ili dodataka, SiC se može ponašati kao poluvodič. Poluprovodnik P-tipa se može dobiti dopiranjem aluminijuma, bora ili galijuma, dok nečistoće azota i fosfora daju poluprovodnike N-tipa. Silicijum karbid ima sposobnost da provodi električnu energiju pod nekim uslovima, ali ne u drugim, na osnovu faktora kao što su napon ili intenzitet infracrvenog zračenja, vidljive svetlosti i ultraljubičastih zraka. Za razliku od drugih materijala, silicijum karbid je sposoban da kontroliše regione P-tipa i N-tipa potrebne za proizvodnju uređaja u širokim rasponima. Iz ovih razloga, SiC je materijal pogodan za energetske uređaje i sposoban da prevaziđe ograničenja koja nudi silicijum.

P: Kako SiC poluvodiči mogu postići bolje upravljanje toplinom od silicija?

O: Drugi važan parametar je toplotna provodljivost, koja je pokazatelj kako je poluprovodnik u stanju da rasipa toplotu koju generiše. Ako poluvodič nije u stanju da efikasno odvodi toplotu, uvodi se ograničenje na maksimalni radni napon i temperaturu koje uređaj može da izdrži. Ovo je još jedna oblast u kojoj silicijum karbid nadmašuje silicijum: toplotna provodljivost silicijum karbida je 1490 W/mK, u poređenju sa 150 W/mK koju nudi silicijum.

P: Kako je vrijeme povratnog oporavka SiC-a u poređenju sa Si-MOSFET-om?

O: SiC MOSFET-i, poput njihovih silikonskih pandana, imaju diodu unutrašnjeg tijela. Jedno od glavnih ograničenja koje nudi dioda tijela je neželjeno ponašanje povratnog oporavka, koje se javlja kada se dioda isključi dok nosi pozitivnu struju naprijed. Reverzno vrijeme oporavka (trr) tako postaje važan indeks za definiranje karakteristika MOSFET-a. Slika 2 prikazuje poređenje između trr MOSFET-a od 1000 V na bazi Si i MOSFET-a na bazi SiC. Kao što se može vidjeti, dioda tijela SiC MOSFET-a je izuzetno brza: vrijednosti trr i Irr su toliko male da su zanemarljive, a gubitak energije Err je znatno smanjen.

P: Zašto je meko isključivanje važno za zaštitu od kratkog spoja?

O: Još jedan važan parametar za SiC MOSFET je vrijeme otpornosti na kratki spoj (SCWT). Budući da SiC MOSFET-i zauzimaju vrlo malu površinu čipa i imaju veliku gustinu struje, njihova sposobnost da izdrže kratke spojeve koji mogu uzrokovati termičke prekide obično je manja nego kod uređaja na bazi silicija. U slučaju, na primjer, 1.2kV MOSFET-a sa TO247 paketom, vrijeme otpora kratkog spoja na Vdd=700V i Vgs{6}}V je oko 8-10 μs. Kako se Vgs smanjuje, struja zasićenja se smanjuje i vrijeme izdržavanja raste. Kako se Vdd smanjuje, stvara se manje topline i vrijeme izdržavanja je duže. Budući da je vrijeme potrebno za isključivanje SiC MOSFET-a izuzetno kratko, kada je brzina isključenja Vgs visoka, visoki dI/dt može uzrokovati ozbiljne skokove napona. Stoga bi trebalo koristiti meko isključivanje za postepeno snižavanje napona na kapiji, izbjegavajući prenaponske vrhove.

P: Zašto je upravljački program izolirane kapije bolji izbor?

O: Mnogi elektronički uređaji su i niskonaponski i visokonaponski krugovi, međusobno povezani radi obavljanja funkcija upravljanja i napajanja. Vučni pretvarač, na primjer, obično uključuje niskonaponsku primarnu stranu (napajanje, komunikacija i upravljački krugovi) i sekundarnu stranu (visokonaponska kola, motor, stepen snage i pomoćni krugovi). Kontroler koji se nalazi na primarnoj strani obično koristi povratne signale sa strane visokog napona i podložan je mogućim oštećenjima ako ne postoji izolaciona barijera. Izolaciona barijera električni izoluje kola od primarne do sekundarne strane formirajući odvojene referentne tačke uzemljenja, implementirajući takozvanu galvansku izolaciju. Ovo sprječava prijenos neželjenih AC ili DC signala s jedne strane na drugu, što dovodi do oštećenja komponenti napajanja.

P: Koje su ključne upotrebe silicijum karbida?

O: Silicijum karbid je veoma popularan abraziv u modernom lapidariju zbog svoje izdržljivosti i relativno niske cene materijala. To je, dakle, ključno za umjetničku industriju. U proizvodnoj industriji, ova smjesa se koristi zbog svoje tvrdoće u nekoliko procesa abrazivne obrade kao što su honovanje, brušenje, rezanje vodenim mlazom i pjeskarenje.

P: Komentirajte tvrdoću silicijum karbida?

O: Silicijum karbid ima sposobnost da formira izuzetno tvrdu keramičku supstancu što ga čini korisnim za primenu u automobilskim kočnicama i kvačilima, kao i u pancirima. Osim što zadržava snagu do 1400 stepeni, ova keramika pokazuje najveću otpornost na koroziju među svim naprednim keramikama.

P: Da li je silicijum karbid rastvorljiv u vodi?

O: Silicijum karbid je nerastvorljiv u vodi. Međutim, rastvorljiv je u rastopljenim alkalijama (kao što su NaOH i KOH), kao i u rastopljenom gvožđu. Silicijum karbid se može smatrati organosilicijum jedinjenjem.

P: Zašto je silicijum karbid tako skup?

O: Cijena jednog čipa od silicijum karbida (SiC) može varirati ovisno o nekoliko faktora, uključujući specifičnu primjenu, veličinu, složenost i proizvodni proces. Općenito, SiC čipovi imaju tendenciju da budu skuplji od tradicionalnih silikonskih čipova zbog naprednih materijala i tehnika proizvodnje.

P: Za šta je najbolji silicijum karbid?

O: Budući da se njihovo zrno lako lomi i održava oštru akciju rezanja, silicijum-karbidni abrazivi se općenito koriste za brušenje tvrdih materijala niske vlačne čvrstoće kao što su ohlađeno željezo, mramor i granit, i materijala kojima je potrebno oštro djelovanje kao što su vlakna, guma koža ili bakar. Krhko: Proizvodi od silicijum karbida su krhki i nisu prikladni za neka okruženja sa velikim česticama i lakim habanjem. 4. Loša obradivost: Obradivost proizvoda od silicijum karbida je loša, a obrada je teška, tako da je teško proizvoditi proizvode od silicijum karbida složenih oblika

P: Da li je silicijum karbid otporan na metke?

O: Keramički materijali, kao što je silicijum karbid (SiC), smatraju se idealnim za zaustavljanje puščanih metaka zbog njihove impresivne snage i izdržljivosti. SiC se može kombinovati sa podložnim materijalima i umetnuti u zaštitne prsluke kako bi se obezbedila vitalna zaštita tela od bilo kakvih projektila velike brzine. Silicijum karbid se u prirodi javlja kao izuzetno redak mineral poznat kao moisanit, koji je prvi put pronađen 1893. u meteoru Canyon Diablo u Arizoni krater.

P: Da li se silicijum karbid otapa u vodi?

O: Silicijum karbid je nerastvorljiv u vodi. Međutim, rastvorljiv je u rastopljenim alkalijama (kao što su NaOH i KOH), kao i u rastopljenom gvožđu. U julu 2022, MIT News je objavio da bi kubni bor-arsenid mogao biti moguća alternativa silicijumu. Kubični borov arsenid ima bolje performanse od silicijuma u provođenju toplote i struje.

P: Da li je silicijum karbid jači od dijamanta?

O: Silicijum karbid je tvrd sa Mohsovom tvrdoćom od 9,5, što je drugo posle najtvrđeg dijamanta na svetu. Osim toga, silicijum karbid ima odličnu toplotnu provodljivost. To je vrsta poluprovodnika i može izdržati oksidaciju na visokim temperaturama. Silicijum karbid (SiC), takođe poznat kao karborund, je jedinjenje silicijuma i ugljenika sa hemijskom formulom SiC.

P: Što je bolje silicijum karbid ili volfram karbid?

O: Silicijum karbid u obliku praha značajno povećava čvrstoću na pritisak i zatezanje [19]. Volfram karbid (WC) je koristan jer je materijal za zaštitu od zračenja. WC u obliku nano praha pruža veću zaštitu od zračenja i bolju čvrstoću na pritisak. Tesla je najavila novi pogon za buduće vozilo koji sadrži 75% manje komponenti od silicijum karbida. Proizvođači čipova koji se bave silicijum-karbidom su se složili sa vestima, iako ključni igrač u industriji Aehr Test Systems ne vidi da Teslina najava ima veliki uticaj na buduću potražnju.

P: Može li silicijum karbid rezati staklo?

O: Točkovi od silicijum karbida su korisni za rezanje stakla, kvarca, keramike, titana, volframa, cirkonijuma, uranijuma, berilija i germanijuma, vlakana, plastike (kao što su fenoli) i plastike ojačane vlaknima. Ključne opasnosti su kontakt sa kožom sa mogućim kancerogen ili udisanje kristalnog silicijum dioksida koji može oštetiti vaša pluća. Neke države u SAD-u, NJ je jedan primjer, navode silicijum karbid kao opasnu supstancu.

Popularni tagovi: silicijum karbid, Kina proizvođači silicijum karbida, dobavljači, fabrika, Magnezijum ingot